RFHIC, 질화갈륨 트랜지스터 채택 증가로 실적 개선 기대

RFHIC(218410)에 대해 글로벌 고객사의 5세대(5G) 이동통신 사업 전략 변화에 따른 질화갈륨(GaN) 트랜지스터 채택 비중 증가로 실적 개선이 기대된다.

올해 1월부터 시작된 국내 5G 투자는 대부분 LDMOS 트랜지스터로 대응하고 있어 GaN 트랜지스터를 주력으로 생산하는 RFHIC의 수혜가 제한적이었다. 하지만 국내 기반 글로벌 통신장비 사업자의 전략 변화로 GaN 채택 비중 증가가 예상됨에 따라 내년 1분기부터 시작되는 국내 5G 리비전 장비에는 GaN 트랜지스터가 대부분 사용될 것으로 내다봤다.

RFHIC의 내년 매출액은 전년 대비 134% 증가한 2834억원, 영업이익은 134.5% 늘어난 661억원을 기록할 것으로 전망했다. 중국 화웨이와 일본 KDDI의 5G 투자는 올해 4분기부터 시작돼 내년에는 GaN 트랜지스터 물량이 본격적으로 늘어날 전망이며 내년 3월부터는 인도 릴라이언스 지오 기지국 장비 대부분에 GaN 트랜지스터가 채택됨에 따라 전반적인 해외 매출이 큰 폭으로 증가할 것으로 판단했다.

이어 RFHIC의 올해 3분기 영업이익은 전년 동기 대비 85% 줄어든 11억원을 기록할 것으로 예상돼 시장 우려와 달리 영업손실 가능성은 극히 제한적이며, 최근 웨이퍼 공급처를 다변화해 향후 발생할 수 있는 웨이퍼 수급 이슈에도 대응했다. 28GHz 기지국은 소형화로 인해 기존의 구현 방식이 달라질 가능성이 존재하나, RFHIC는 방산에서 개발한 GaN MMIC 장비를 통해 대응 준비를 마친 상황이라고 진단했다. 

 

 

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